纳米光刻中调焦调平测量系统的工艺相关性

• 作者: 叶甜春 孙裕文 宗明成 李世光
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 测量 调焦调平 工艺相关性 纳米光刻
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 仪器,测量与计量
• 页码范围: 102-112
• 页数: 11页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201636.0812001

摘要

随着半导体制造步入1x nm技术节点时代,光刻机中的对焦控制精度需要达到几十纳米.在纳米精度范围内,硅片上的集成电路(IC)工艺显著影响调焦调平系统的测量精度.基于实际的调焦调平光学系统模型和三角法、叠栅条纹法测量原理,建立工艺相关性误差模型.研究表明,工艺相关性误差主要来源于测量光在光刻胶涂层内部的多次反射.选取3种光刻胶仿真分析发现,不同光刻胶的工艺相关性误差随光刻胶厚度的变化趋势相同,随测量光入射角(45°～85°)的增大而减小.在实验验证平台上分别测量7种工艺硅片,实验测量值与理论模型计算值差异统计平均值小于6 nm.结果表明,光刻机中调焦调平系统的测量光有必要采用大入射角度,同时提高光刻胶的涂胶均匀性,以减少工艺相关性误差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	李世光	中国科学院微电子研究所	11	5	1.0	2.0
3	宗明成	中国科学院微电子研究所	4	0	0.0	0.0
4	孙裕文	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0