晶体(ZnKPO4.6H2O)∶VO2+的自旋哈密顿参数及局域结构

• 作者: 杜香容 涂超 谢林华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋哈密顿参量 晶体场理论 电荷转移机制 (ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 2130-2134
• 页数: 5页
• 分类号: O737
• 字数: 2239字
• 语种: 中文

摘要

基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量.本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制.计算结果与实验数据是一致的.说明电荷转移机制对(ZnKPO4·6H2O)∶VO2+晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢林华	四川师范大学物理与电子工程学院	17	35	3.0	5.0
2	涂超	四川师范大学物理与电子工程学院	1	1	1.0	1.0
3	杜香容	四川师范大学物理与电子工程学院	1	1	1.0	1.0