Ca(OD)2:Cu2+局部结构及自旋哈密顿参量研究

• 作者: 李超英 杨建荣
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ca(OD)2 晶体场 Cu2+离子 电子顺磁共振
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 物理电子学
• 页码范围: 405-407
• 分类号: O737
• 字数: 1014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.016

摘要

利用离子簇模型,建立了3d9离子在四角对称下的高阶微扰公式,并计算了Ca(OD)2:Cu2+的自旋哈密顿参量g因子g‖、g⊥和超精细结构常数A‖、A⊥.在所得的微扰公式中,杂质中心四角畸变对g因子的贡献用四角晶场参量Ds和D(i)表示.由于晶体中顺磁杂质中心的自旋哈密顿参量与其缺陷结构密切相关,计算获得了Cu2+杂质中心缺陷结构信息,即由于Jahn-Teller 效应配体氧八面体沿着四次轴方向的伸长约0.0083nm.计算结果表明理论与实验符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建荣	上饶师范学院物理与电子信息学院	41	78	5.0	7.0
3	李超英	上饶师范学院物理与电子信息学院	12	17	3.0	3.0