MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体中替位V4+自旋哈密顿参量研究

• 作者: 林季资 肖沛
• 来源期刊: 北华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子顺磁共振 自旋哈密顿 V4+ MO2(M=Ti,Ge,Sn)
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学和化学
• 页码范围: 299-303
• 页数: 5页
• 分类号: O737
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-4822.2008.04.003

摘要

基于离子簇模型,应用斜方畸变八面体中3d1电子的EPR参量微扰公式,研究了MO2(M=Ti,Ce,Sn)晶体(金红石型)中替位V4+的EPR参量,发现由于V4+取代晶体中阳离子而引起的姜泰勒(Jahn-Teller)效应,将导致杂质离子局部结构形成微小压缩八面体.进一步考虑了配体轨道及旋轨耦合作用和杂质离子周围的畸变对自旋哈密顿参量的贡献,结果与实验符合的更好.