LaSrAlO4中Cu2+的自旋哈密顿参量的理论分析

• 作者: 邬劭轶 颜微子 高秀英 魏望和
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体场理论 电子顺磁共振 自旋哈密顿 重叠模型
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 通信与信息工程
• 页码范围: 230-231,301
• 页数: 3页
• 分类号: O737
• 字数: 2011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2007.02.022

摘要

根据晶体场理论,利用3d9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu2+的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析.其中的四角晶场参量Ds、Dt由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,因子公式中的芯区极化常数K≈0.286.所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//负值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜微子	电子科技大学物理电子学院	4	18	3.0	4.0
2	邬劭轶	电子科技大学物理电子学院	20	19	2.0	3.0
3	魏望和	电子科技大学物理电子学院	3	6	2.0	2.0
4	高秀英	电子科技大学物理电子学院	2	6	2.0	2.0