Al2O3晶体中Cu3+离子自旋哈密顿参量及其局域结构研究

• 作者: 魏群
• 来源期刊: 辽宁工程技术大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3:Cu3+晶体 自旋哈密顿 局域结构
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 所属期刊栏目: 基础科学
• 页码范围: 284-286
• 页数: 3页
• 分类号: TB32|O734.3|O737
• 字数: 1707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0562.2005.z2.099

摘要

利用自旋哈密顿理论,在建立Al2O3:Cu3+晶体结构和自旋哈密顿参量之间的定量关系的基础上,采用掺杂离子位移模型,统一计算了Al2O3:Cu3+晶体的自旋哈密顿参量,解决了前人工作中可调参量过多的问题.理论结果与实验数据符合很好,说明采用的模型是合理的.结果表明,Cu3+离子掺入Al2O3基质晶体后,并没有准确占据Al3+格位,而是沿C3轴移动了0.0179nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏群	宝鸡文理学院物理系	16	65	5.0	7.0