ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

• 作者: 董会宁 蔡雪梅 邬劭轶
• 来源期刊: 重庆邮电学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子顺磁共振 晶体场理论 ThSiO4 Yb3+
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息
• 页码范围: 144-146
• 页数: 3页
• 分类号: O737
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-825X.2005.02.005

摘要

从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量,计算了ThSiO4晶体中四角对称的yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子,计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡雪梅	重庆邮电学院信息电子学研究所	25	151	5.0	12.0
2	董会宁	重庆邮电学院信息电子学研究所	41	206	6.0	13.0
4	邬劭轶	重庆邮电学院信息电子学研究所	20	19	2.0	3.0