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掺Gd3钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)自旋哈密顿参量的理论计算
掺Gd3钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)自旋哈密顿参量的理论计算
作者:
张胤
杨维清*
林媛
赵小云
高敏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体
自旋哈密顿参量
晶体场理论
对角化能量矩阵
摘要:
采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//, g⊥和零场分裂b02, b04, b44, b06, b46).矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算.计算结果显示,应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量ˉA2(R0),ˉA4(R0)和ˉA6(R0)],计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好,表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.
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篇名
掺Gd3钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)自旋哈密顿参量的理论计算
来源期刊
物理学报
学科
关键词
AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体
自旋哈密顿参量
晶体场理论
对角化能量矩阵
年,卷(期)
2013,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
406-410
页数
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.62.047102
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
林媛
电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室
15
35
4.0
5.0
2
高敏
电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室
13
6
2.0
2.0
3
张胤
电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室
10
8
2.0
2.0
4
赵小云
成都信息工程学院光电技术系
4
4
1.0
1.0
5
杨维清*
电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室
1
1
1.0
1.0
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被引次数趋势
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2017(1)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体
自旋哈密顿参量
晶体场理论
对角化能量矩阵
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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