基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//, g⊥和零场分裂b02, b04, b44, b06, b46).矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算.计算结果显示,应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量ˉA2(R0),ˉA4(R0)和ˉA6(R0)],计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好,表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.
推荐文章
LaSrAlO4中Cu2+的自旋哈密顿参量的理论分析
晶体场理论
电子顺磁共振
自旋哈密顿
重叠模型
MPO4 (M=Sc, Lu, Y) :Ti3+ 自旋哈密顿参量的理论研究
自旋哈密顿参量
电子顺磁共振
晶体场理论
Ti3+离子
Ca(OD)2:Cu2+局部结构及自旋哈密顿参量研究
Ca(OD)2
晶体场
Cu2+离子
电子顺磁共振
ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究
电子顺磁共振
晶体场理论
ThSiO4
Yb3+
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 掺Gd3钼酸盐AMoO4(A=Ca, Sr, Ba, Pb)自旋哈密顿参量的理论计算
来源期刊 物理学报 学科
关键词 AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体 自旋哈密顿参量 晶体场理论 对角化能量矩阵
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 406-410
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.047102
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林媛 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室 15 35 4.0 5.0
2 高敏 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室 13 6 2.0 2.0
3 张胤 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室 10 8 2.0 2.0
4 赵小云 成都信息工程学院光电技术系 4 4 1.0 1.0
5 杨维清* 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室 1 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2013(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2017(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
AMoO4 (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体
自旋哈密顿参量
晶体场理论
对角化能量矩阵
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
论文1v1指导