退火温度对CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜结构和电学特性的影响?

• 作者: 吴亚美 杨瑞霞 田汉民 陈帅
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钙钛矿 CH3NH3PbI3 太阳电池 退火温度 电导率
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺 技术
• 页码范围: 7192-7196
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4|TB34
• 字数: 3527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.07.037

摘要

采用一步溶液法制备的CH3 NH3 PbI3薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X 射线衍射仪对 CH3 NH3 PbI3钙钛矿薄膜的表面形貌和晶体结构进行表征.通过对薄膜的电流-电压(I-V)曲线的测试结果计算得到在退火温度为60,80,100,120和140℃制备的CH3NH3PbI3薄膜的电导率分别为0．0069,0．0089,0．0178,0．0104和0．0013 mS/cm.研究结果表明,合适的退火温度有助于薄膜结晶度的提高,晶粒尺寸的增大且尺寸分布均匀,从而有效减少晶界缺陷和晶界散射,薄膜电导率大幅度提高.但是,过高的退火温度(＞120℃)会导致碘离子 VI空位缺陷的数量急增,甚至导致CH3 NH3 PbI3的分解,使得薄膜内部的缺陷浓度提高.由于缺陷散射增强,载流子迁移率降低,薄膜电导率减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	180	759	13.0	18.0
2	田汉民	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	24	41	4.0	5.0
3	陈帅	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	4	6	1.0	2.0
4	吴亚美	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	3	13	2.0	3.0