钛镓合掺氧化锌半导体薄膜的制备及其性能研究

• 作者: 钟志有 陆轴 顾锦华 龙浩 龙路
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 微观结构
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备钛镓合掺氧化锌(TGZO)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针和透射光谱等方法测试表征,研究了衬底温度对薄膜微观结构、晶粒生长和光电综合性能的影响.结果表明:TGZO薄膜具有高度的c轴择优取向生长特性,其微观结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为340℃时,TGZO薄膜具有最大的织构系数(2.963)、最大的晶粒尺寸(85.7nm)、最小的微应变(0.231)、最低的电阻率(1.87×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透射率(84.8％)和最大的品质因数(451.2Ω-1 ·cm-1).其晶体质量和光电综合性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有		67	360	11.0	14.0
2	顾锦华		33	183	9.0	12.0
3	龙路		11	55	4.0	7.0
4	陆轴		19	78	6.0	8.0
5	龙浩		22	53	5.0	7.0