金刚石在6H-SiC单晶片游离磨料化学机械抛光中的影响

• 作者: 张竹青 张翠杰 王文龙 罗玉梅
• 来源期刊: 福建质量管理
• 关键词: SiC单晶片 抛光液 磨料 去除率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 探索研究
• 页码范围: 240
• 页数: 1页
• 字数: 1710字
• 语种: 中文

摘要

本文通过试验研究了抛光液中金刚石磨料粒径对SiC单晶片去除率和表面质量的研究.试验中选用五种不同粒径的金刚石磨料,分别配制了含磨料的水抛光液和化学试剂抛光液.抛光加工后,分别比较相同抛光液不同粒径和相同粒径不同抛光液对6H-SiC单晶片的去除率和粗糙度的影响.