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低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法
低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法
作者:
刘娜
刘智
姚和平
时应璇
杨力宏
赵光炜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低压差线性稳压器
瞬时电离辐射效应
恢复时间
摘要:
在核爆环境下,要求低压差线性稳压器(LDO)的输出电压能够快速恢复.本文定性分析了瞬时电离辐射后LDO的输出电压恢复时间与负载电阻的关系;在“强光一号”加速器上开展了相应的瞬时电离辐射效应试验研究.对比分析不同负载条件下的输出电压恢复时间,发现两者密切相关,通过合理调整输出负载电阻值,可以有效地减小瞬时电离辐射后电路的恢复时间.辐射试验结果表明,经过瞬时电离剂量率为1.0×1011rad(Si)/s辐照后,采用适当负载的LDO的输出电压恢复时间可小于100 μs.
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基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法
来源期刊
太赫兹科学与电子信息学报
学科
工学
关键词
低压差线性稳压器
瞬时电离辐射效应
恢复时间
年,卷(期)
2017,(1)
所属期刊栏目
微电子、微系统与物理电子学
研究方向
页码范围
129-133
页数
5页
分类号
TN433
字数
2068字
语种
中文
DOI
10.11805/TKYDA201701.0129
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘智
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
13
42
3.0
6.0
2
杨力宏
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
5
5
1.0
2.0
3
姚和平
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
4
1
1.0
1.0
4
时应璇
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
3
0
0.0
0.0
5
赵光炜
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
2
0
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刘娜
西安微电子技术研究所集成电路设计事业部
1
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传播情况
被引次数趋势
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共引文献
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节点文献
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低压差线性稳压器
瞬时电离辐射效应
恢复时间
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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太赫兹科学与电子信息学报
主办单位:
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-4980
CN:
51-1746/TN
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号:
62-241
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
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