新型稀磁半导体母体YCuSO第一性原理计算

• 作者: 冯山 张莉 李林先 陈浩泽
• 来源期刊: 中国计量大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 母体YCuSO 第一性原理计算 电子结构 光学性质 新型稀磁半导体
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 399-403,408
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-2835.2017.03.021

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22 eV.其费米面主要由Cu 3d和S 3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90 nm处存在明显的光损失,在80~350 nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680 nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莉	中国计量大学理学院	10	14	2.0	3.0
2	陈浩泽	中国计量大学理学院	3	1	1.0	1.0
3	李林先	中国计量大学理学院	4	2	1.0	1.0
4	冯山	中国计量大学理学院	3	1	1.0	1.0