基于二维PIC—DSMC耦合算法的真空沿面闪络形成过程等离子体演化特性研究

• 作者: 徐翱
• 来源期刊: 教学与科技
• 学科: 物理学
• 关键词: 沿面闪络 绝缘体 等离子体 场致发射 模拟
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 6-16
• 页数: 11页
• 分类号: O53

摘要

真空沿面闪络一直是限制相关高压技术应用的重要问题，因此通过深入认识真空沿面闪络形成过程等离子体演化特性来掌握影响等离子体形成和演变的主要因素，对进一步提高相关器件耐压性能有着重要意义。本文基于金属-真空-绝缘体交界处的三相点场致电子发射、绝缘体表面电荷累积、二次电子发射、气体解吸附及电了与解吸附气体相互作用等基本物理过程，通过二维轴对称PIC-DSMC（网格质点法-直接模拟蒙特卡罗法）耦合算法建立了1mm间隙的真空沿面闪络仿真模型，阐明了电子、离子和中性粒子的时空分和演化特性，揭示了绝缘体表面电荷累积对阴极表面电场的增强作用以及其导致的三相点场致发射电子增加，阐明了阴极附近止离子大量出现并增强场致发射导致了阴极附近首先形成电子雪崩并从而引起真空沿面闪络的物理过程，从们获得了完整的真空沿面闪络形成过程中的等离子体演化特性，这为深入理解真空沿面闪络机制和进一步提高相关器件性能奠定了基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐翱	中国工程物理研究院电子工程研究所	20	91	4.0	9.0