金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征

• 作者: 严光明 蔡志猛 陈荔群
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 金属与Ge接触 欧姆接触 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 482-486
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.16136/j.joel.2017.05.0383

摘要

基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接触电阻率和电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性曲线,分析对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性.实验结果发现,由于金属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×1018 cm-3时,并且经过退火,比接触电阻率能达到4.0×10-7Ω·cm2;Al与n型Ge和n型Si接触电极相比,后者可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+ Si接触电阻率能达到5.21×10-5 Ω·cm2,达到了制作高性能Ge光电器件的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡志猛		12	45	1.0	6.0
2	陈荔群		6	0	0.0	0.0
3	严光明		2	2	1.0	1.0