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摘要:
在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化.研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面法线间水平和竖直方向角度测算的精确度;系统能精确测量出离子束注入角度,然后通过补偿驱动旋转靶台到相应需求的角度后注入,满足工艺需求.
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文献信息
篇名 单晶圆注入机注入角度测量与补偿系统设计
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 单晶圆 注入机 角度 测量 补偿
年,卷(期) 2017,(2) 所属期刊栏目 半导体制造工艺与设备
研究方向 页码范围 11-13
页数 3页 分类号 TN305
字数 1679字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 彭立波 中国电子科技集团公司第四十八研究所 7 5 2.0 2.0
2 袁卫华 中国电子科技集团公司第四十八研究所 3 2 1.0 1.0
3 钟新华 中国电子科技集团公司第四十八研究所 8 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
单晶圆
注入机
角度
测量
补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
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