功率循环条件下厚膜组装VDMOS的热阻结构函数分析

• 作者: 刘俊夫 周斌 朱雨生 汪张超
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 功率循环 结构函数 热阻分析 厚膜组装 VDMOS Phase11
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 71-78
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2017.10.019

摘要

该文以混合集成VDMOS管为对象进行功率循环试验,将温循试验后的热阻变化进行对比分析.首先基于结构函数对VDMOS样品的热阻变化的因素进行分析.其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,并对比模块内部各层温度随时间的变化状态.最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周斌	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室	6	10	2.0	2.0
2	汪张超	中国电子科技集团公司第四十三研究所	16	4	1.0	2.0
3	刘俊夫	中国电子科技集团公司第四十三研究所	7	2	1.0	1.0
4	朱雨生	中国电子科技集团公司第四十三研究所	5	1	1.0	1.0