功率VDMOS稳态热阻测试的关键影响因素

• 作者: 王立新 董晨曦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 热阻 电学法 可靠性 封装与测试
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 143-148
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.02.002

摘要

热阻值是衡量功率VDMOS器件热性能优劣的重要参数,但在实际的热阻测试过程中,诸如测试电流、延迟时间、壳温控制等因素都会对测试结果造成直接的影响.因此,测试时应当深入理解和分析各种影响因素,依据严格的测试标准灵活地使用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性.按照稳态热阻测试的步骤,详细论述了影响其测试结果的关键因素,并提出较为准确的修正方法,设计了针对性试验对其进行了验证.试验表明,该测试方法实现了较为精确的稳态热阻测量,可为功率VDMOS热阻测试标准的制定提供参考和借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
2	董晨曦	中国科学院微电子研究所	4	26	3.0	4.0