功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析

• 作者: 任敏 张金平 李泽宏 殷鹏飞 高巍
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 热阻 结温 VDMOS ITO-220AB 热传导 焊锡
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.07.005

摘要

热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数.本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响.通过测量四种规格VDMOS器件结到环境热阻(Rthj-a)及结到管壳热阻(Rthj-c),并采用结构函数分析法,分析热量从芯片到管壳外的热传导过程发现,随着芯片面积的增大,热阻线性减小,利于器件散热;芯片与框架间过厚的焊锡层非常不利于热量的传导;铜框架厚度间接影响了外部包裹树脂厚度,从而改变了树脂所占器件热阻Rthj-c的比例,树脂材料越厚,器件热阻会明显增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金平	电子科技大学电子科学与工程学院	19	83	5.0	8.0
2	李泽宏	电子科技大学电子科学与工程学院	32	111	6.0	8.0
3	任敏	电子科技大学电子科学与工程学院	22	46	4.0	5.0
4	高巍	电子科技大学电子科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
5	殷鹏飞	电子科技大学电子科学与工程学院	1	2	1.0	1.0