退火温度对碳化硅涂层微观结构与形貌的影响

• 作者: 刘锦云 王坤 王美玲
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅涂层 退火温度 射频磁控溅射 粗糙度
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 先进材料及能源
• 页码范围: 108-112
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.4|TG156.2
• 字数: 3177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2017.05.017

摘要

采用射频磁控溅射技术,在锆合金基体上制备厚度约为1.8μm的SiC涂层,对其在不同温度下进行退火处理.利用SEM和AFM对微观形貌进行分析,讨论不同温度对SiC涂层表面形貌的影响,利用XRD对涂层的结构进行研究.结果表明:随着退火温度从400℃升高到800℃,涂层表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势,其中在600℃时表面粗糙度最小,为0.122μm;退火温度低于600℃时,SiC涂层不会出现晶态转变,当温度高于700℃时涂层开始出现非晶态向晶态的转变,XRD衍射图谱中开始出现SiC对应的衍射峰,且随着退火温度的升高,涂层的晶化程度进一步增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘锦云	西华大学材料科学与工程学院	61	200	7.0	10.0
2	王美玲		12	65	2.0	8.0
3	王坤	西华大学材料科学与工程学院	4	10	1.0	3.0