单向C/SiC复合材料热残余应力数值模拟研究

• 作者: 任成祖 张立峰 曹德胜 李巾锭 李远辰
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: C/SiC复合材料 单胞模型 热残余应力 数值模拟 内聚力模型
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 计算材料学
• 页码范围: 18-24
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 字数: 3948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12044/j.issn.1007-2330.2017.02.005

摘要

连续纤维增韧陶瓷基复合材料制备过程中因纤维与基体线胀系数失配会产生热残余应力,从而导致纤维脱粘、基体开裂等现象,严重影响复合材料力学性能.本文针对CVI工艺制备的单向C/SiC复合材料,建立“纤维-界面-基体”单胞物理模型,基于细观力学分析方法对热残余应力分布规律进行预测,采用ABAQUS对材料制备过程进行数值模拟,揭示了界面厚度、纤维体积分数、制备温度等参数对纤维、基体热残余应力分布的影响规律,分析了热残余应力对复合材料力学性能的影响.研究结果能够为C/SiC复合材料的设计、分析及微纳力学性能试验提供理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任成祖	天津大学机构理论与装备设计教育部重点实验室	67	552	12.0	19.0
2	张立峰	天津大学机构理论与装备设计教育部重点实验室	11	234	7.0	11.0
3	李巾锭	天津大学机构理论与装备设计教育部重点实验室	9	23	2.0	4.0
4	曹德胜	天津大学机构理论与装备设计教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	李远辰	天津大学机构理论与装备设计教育部重点实验室	3	3	1.0	1.0