抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响

• 作者: 刘玉岭 张凯 江自超 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光垫 使用寿命 实时表面形貌控制(RTPC)技术 平均去除速率一致性 同步在线修整
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 715-719
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.10.011

摘要

针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控.实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使用时间Tt≤500 pcs),铜膜平均去除速率稳定,粗抛一致性良好(片内非均匀性(WIWNU)为3.37％),粗抛后剩余膜厚范围小于60 nm.使用后期(Tt＞500 pcs),粗抛速率一致性较差,粗抛后剩余膜厚范围大于100 nm.抛光垫修整能有效恢复抛光垫表面状态,采用在线同步修整技术,可以延长抛光垫使用寿命到750 pcs以上.但是过长的修整时间不能保证铜膜良好的平均去除速率一致性,也会加大抛光垫磨损,降低使用寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
3	张凯	河北工业大学电子信息工程学院	14	65	3.0	8.0
5	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
13	江自超	河北工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0