10~18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

• 作者: 刘福海 杨琦 鲁丽丽
• 来源期刊: 电子科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪放 砷化镓 源电感匹配 负反馈 噪声系数
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 基础电子
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16453/j.issn.2095-8595.2017.04.001

摘要

本文研制了一款10~18GHz低噪声放大器芯片,该放大器采用90nm GaAs工艺.放大器采用三级共用电流单电源拓扑,第一级采用源电感匹配,在确保输入端口驻波比的同时使放大器噪声系数最小;第三级采用电阻负反馈拓扑,在保证增益平坦度、输出端口驻波比与输出功率的前提下,尽量降低LNA的噪声系数.在片测试表明,在+5V漏电压工作环境下,放大器静态电流为25mA,增益为24.5dB,增益平坦度为±1dB,噪声系数为1.1dB,1dB增益压缩点输出功率大于9dBm,包含射频GSG与直流偏置压点的芯片尺寸为1.4×0.8mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨琦	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	1.0	2.0
2	刘福海	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
3	鲁丽丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0