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摘要:
对面向NAND Flash存储的纠错编码技术进行综述.首先,介绍NAND Flash的内部结构及其出错机制.然后,对目前常用的4种纠错编码技术(Hamming码、RS码、BCH码以及LDPC码)原理及现状进行详细介绍.最后,对比分析这4种纠错编码技术的优缺点以及未来的发展趋势.
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文献信息
篇名 面向NAND Flash存储的纠错编码技术概述
来源期刊 计算机与现代化 学科 工学
关键词 纠错编码 NAND Flash存储 BCH码 LDPC码
年,卷(期) 2017,(11) 所属期刊栏目 软件工程
研究方向 页码范围 35-40
页数 6页 分类号 TP333.5
字数 6824字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-2475.2017.11.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈乃阔 13 41 4.0 5.0
3 耿士华 15 33 3.0 5.0
5 于治楼 4 20 3.0 4.0
7 彭福来 2 7 1.0 2.0
17 毕研山 1 6 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
纠错编码
NAND Flash存储
BCH码
LDPC码
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计算机与现代化
月刊
1006-2475
36-1137/TP
大16开
南昌市井冈山大道1416号
44-121
1985
chi
出版文献量(篇)
9036
总下载数(次)
25
总被引数(次)
56782
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