氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

• 作者: 宋勇志 张亮 张益存 曲泓铭 王静 白金超 赵磊 郭会斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 增强电容耦合等离子刻蚀 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 533-537
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173210.0533

摘要

本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考.针对SF6+O2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF6/O2总流量保持不变下,O2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋勇志		9	40	4.0	6.0
2	白金超		4	9	2.0	2.0
3	郭会斌		3	10	2.0	3.0
4	王静		1	2	1.0	1.0
5	赵磊		1	2	1.0	1.0
6	张益存		2	4	2.0	2.0
7	曲泓铭		2	4	2.0	2.0
8	张亮		1	2	1.0	1.0