基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究

• 作者: 刘宾礼 汪波 熊又星 罗毅飞 肖飞
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT芯片性能退化 阈值电压 集电极漏电流 健康状态监测方法
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 183-193
• 页数: 11页
• 分类号: TN322
• 字数: 6642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160013

摘要

提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法.基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律.在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法.仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性.该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值.