平面式高功率信号放大器设计

• 作者: 刘荣军 李保林
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: GaNHEMT 平面式 内匹配 高效率 偏置电路
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 设计开发
• 页码范围: 207-209
• 页数: 3页
• 分类号: TN454
• 字数: 1608字
• 语种: 中文

摘要

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具有高功率密度、高效率和高工作温度的优异特性,在电子装备和武器系统中具有广泛应用.随着以固态功放为核心的有源阵面的不断增加,高效率,高功率,小型化的功率放大器成为未来有源相控阵雷达的首选功率器件.本文通过采用新颖的偏置电路实现了一款便于T/R组件内部集成的平面式、小型化、高效率GaN内匹配功率放大器,经测试,在3.1-3.4GHz带宽内,连续波输出可达80W以上,附加效率≥65%,功率增益≥12dB,外形尺寸仅有15mm*6.6mm*0.8mm.经过射频加速寿命试验及多批次系统联机测试,该产品完全满足相控阵雷达系统的使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘荣军		6	15	2.0	3.0
2	李保林		1	0	0.0	0.0