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摘要:
采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2(NTO)的陶瓷靶材,研究了在7.5%(质量分数)掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、电学性能、致密度和抗弯强度的影响.通过对NTO靶材的各项性能进行了表征分析表征,实验结果表明,当烧结温度在1 150 ℃,掺杂量在7.5%(质量分数)时,所制备的陶瓷靶材各项性能最优,其各项性能指标均表现良好,其电阻率为3.420 mΩ·cm,抗弯强度为129.24 MPa,其致密度为94.30%.表明此时所制备的NTO陶瓷靶材更加适合于实际工业应用.
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文献信息
篇名 烧结温度对Nb2O5掺杂TiO2靶材性能的影响
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 靶材 掺杂 烧结温度 透明导电薄膜
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 工艺·技术
研究方向 页码范围 223-226,231
页数 5页 分类号 TF125|TM283
字数 3855字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.042
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨海涛 18 56 5.0 6.0
2 朱佐祥 1 0 0.0 0.0
3 彭伟 1 0 0.0 0.0
4 尚福亮 1 0 0.0 0.0
5 高玲 1 0 0.0 0.0
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透明导电薄膜
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功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
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