Fe/Sn共掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质

• 作者: 仝瑞雪 周国伟 江凤仙 马文睿
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 稀磁半导体 In2O3薄膜 掺杂 磁性
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 159-162,167
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.5
• 字数: 3257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.030

摘要

采用脉冲激光沉积方法在Al2O3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制.(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜为单相立方In2O3结构,Fe和Sn取代了In2O3中In的位置.在不同氧气分压下制备的(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜具有明显的室温铁磁性,随着氧气分压的增加,薄膜的铁磁性减小.输运测量表明,(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜为n型半导体,载流子浓度约为1020 cm-3,在低温时具有明显的磁电阻效应.研究结果表明(In0.93Fe0.05Sn0.02)2O3薄膜的铁磁性是本征的,载流子浓度对薄膜的铁磁性有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江凤仙	山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室	6	18	1.0	4.0
2	仝瑞雪	山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	周国伟	山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	马文睿	山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0