Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

• 作者: 刘磊 刘绰 吴一 张津豪 李婉 范志东 郝肖 马蕾
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 化学
• 关键词: Si纳米线 Y掺杂 光致发光 结构特性
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 1357-1362
• 页数: 6页
• 分类号: O614.3
• 字数: 2947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2017)05-1357-06

摘要

以n型单晶Si(111)为衬底,利用Au作为催化剂,在温度、N2流量和生长时间分别为1100 ℃,1.5 L·min-1和60 min的条件下,基于固-液-固生长机制,生长了直径为60~80 nm、长度为数十微米的高密度Si纳米线.随后,以Y2O3粉末为掺杂源,采用高温扩散方法对Si纳米线进行了钇(Y)掺杂.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光分光光度计对不同掺杂温度(900~1 200 ℃)、掺杂时间(15~60 min)和N2流量(0~400 sccm)等工艺条件下制备的Y掺杂Si纳米线的形貌、成分、结晶取向以及激发光谱和发射光谱特性进行了详细的测量和表征.结果表明,在掺杂温度为1 100 ℃,N2流量为200 sccm、掺杂时间为30 min和激发波长为214 nm时,Y掺杂Si纳米线样品表现出较好的发光特性.样品分别在470~500和560~600 nm范围内出现了两条发光谱带.560~600 nm的发光带由两个发光峰组成,峰位分别为573.6和583.8 nm,通过结构分析可以推测,这两个发光峰是由Y3+在Si纳米线的带隙中引入的杂质能级引起的.而470~500 nm较宽的发光带同样来源于Y离子在Si纳米线带隙中引入的与非晶SiOx壳层中氧空位能级十分接近的杂质能级.