CdZnTe像素探测器的电输运性能

• 作者: 南瑞华 坚增运 李晓娟 王朋飞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碲锌镉 像素探测器 γ射线能谱响应
• 年，卷（期）: 2017,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 232-239
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.206101

摘要

碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ 射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×1010?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对241 Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	坚增运	西安工业大学材料与化工学院陕西省光电功能材料与器件重点实验室	106	460	12.0	17.0
2	李晓娟	西安工业大学材料与化工学院陕西省光电功能材料与器件重点实验室	19	34	3.0	4.0
3	南瑞华	西安工业大学材料与化工学院陕西省光电功能材料与器件重点实验室	7	6	2.0	2.0
7	王朋飞	西安工业大学材料与化工学院陕西省光电功能材料与器件重点实验室	1	1	1.0	1.0