SiC IGBT正向导通特性研究

• 作者: 刘国友 李诚瞻 陈喜明 高云斌
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 碳化硅 缓冲层
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 42-43,57
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象.然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及工艺流程较为复杂,研究开发过程比较缓慢.通过针对性的器件物理建模,在此基于Silvaco软件完成了器件的正向导通特性仿真,分析了缓冲层及结型场效应晶体管(JFET)区对器件正向性能的影响,并基于以上结果进行了实际流片,测试结果基本符合理论预期.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李诚瞻		6	0	0.0	0.0
2	刘国友		6	0	0.0	0.0
3	陈喜明		3	0	0.0	0.0
4	高云斌		3	0	0.0	0.0