二维Anti-MoS2结构Tl2S的电子与光学性质--第一性原理研究

• 作者: 付波涛 冯万祥 周小东 管闪
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 物理学
• 关键词: Anti-MoS2结构 Tl2S 第一性原理 电子与光学性质 紫外线
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 513-518
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 3508字
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理方法详细研究了Tl2S的电子与光学性质.计算结果表明:单层Tl2S是1种宽禁带的间接带隙半导体(带隙为1.98 eV),价带顶附近出现不同寻常的窄能带色散关系;通过分析Tl2S的光学能谱发现,其对紫外线具有很强的吸收作用,在制备防紫外线装备方面有潜在的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	管闪	北京理工大学物理学院	3	0	0.0	0.0
2	周小东	北京理工大学物理学院	1	0	0.0	0.0
3	付波涛	北京理工大学物理学院	1	0	0.0	0.0
4	冯万祥	北京理工大学物理学院	1	0	0.0	0.0