二维缺陷GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究

• 作者: 张晋敏 田泽安 褚玉金 谢泉 陈瑞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维GaAs Ga空位缺陷 B掺杂 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 1063-1068
• 页数: 6页
• 分类号: O481.1
• 字数: 3352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.06.028

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90～8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	张晋敏	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	47	261	7.0	15.0
3	田泽安	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	8	3	1.0	1.0
4	褚玉金	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	2	2	1.0	1.0
5	陈瑞	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	1	2	1.0	1.0