真实忆阻器数学建模以及电学仿真

• 作者: 霍鑫宇
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: 忆阻器 记忆设备 电路模型 突触仿真
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 字数: 1586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-5059.2017.24.014

摘要

忆阻器作为新一代的记忆设备,相比于传统的COMS具有低功耗,不挥发性,高集成密度等优良特性.本文提出了一种基于具体物理实验数据的忆阻器数学模型,实现了模拟过程能够最为接近真实忆阻基本特性.我们的模型符合忆阻器的随频率变化的三个基本特性,且具有浮点计算,双通道等优良的特征.分析比较了本文建立忆阻器和传统忆阻器的性能差异,并相对于数学模型给出仿真,仿真结果说明了此类忆阻器建立更适应于真实突触的仿真,可以有效的应用基于忆阻器的神经网络.

作者信息

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1	霍鑫宇		1	0	0.0	0.0