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摘要:
采用热丝化学气相沉积法,以Sill4、NH3、N2为反应气源,通过改变氮气流量沉积氮化硅薄膜.通过紫外-可见(UV-VIS)光吸收谱、傅里叶红外透射光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)等测试手段对薄膜的光学带隙、键合特性及晶相进行表征与分析.结果表明:薄膜主要表现为Si-N键合结构,当N2流量从20 sccm变化到40 sccm时,热丝能够充分的分解N2,薄膜中N原子过量,其周围的Si和H能充分的与N结合.但由于N2的解离能较高,当N2流量高于40 sccm时,氮气在反应过程中对薄膜内的氮原子反而起到了稀释作用,薄膜的有序程度增大,光学带隙减小,致密性降低.当氮气流量达到150 sccm时,在2θ为69.5°处出现了晶化β-Si3 N4的尖锐衍射峰,其择优取向沿(322)晶向,且Si3 N4晶粒显著增大.因此,氮气流量对薄膜中的氮含量有显著影响,适当的增加氮气流量有利于制备出优质含有小晶粒β-Si3 N4薄膜.
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文献信息
篇名 氮化硅薄膜的热丝化学气相沉积法制备及微结构研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 热丝化学气相沉积 薄膜 氮化硅 化学键结构
年,卷(期) 2017,(2) 所属期刊栏目 试验与技术
研究方向 页码范围 706-711
页数 6页 分类号 TK514
字数 3372字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周炳卿 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 45 134 6.0 8.0
2 高爱明 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 5 10 2.0 3.0
3 部芯芯 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 5 5 1.0 1.0
4 丁德松 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 2 3 1.0 1.0
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80-774
1980
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