宽禁带半导体碳化硅在中红外激光方面的应用

• 作者: 王顺冲
• 来源期刊: 河南科技
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 中红外激光 相位匹配 非线性光学晶体
• 年，卷（期）: 2017,（17）
• 所属期刊栏目: 能源与化学
• 页码范围: 133-135
• 页数: 3页
• 分类号: O613.7
• 字数: 2841字
• 语种: 中文

摘要

中红外波段的激光在分子光谱、气体探测、环境保护、医学、激光通讯、红外遥感及光电对抗等领域被广泛应用.常用的中红外非线性光学晶体(硫化物及硒化物等)受低激光损伤阈值的限制,不能满足当今对大功率中红外激光的迫切需求.碳化硅优异的物理性质如宽的带隙(2.3～3.2eV)、高的热导率(490W/(m· K))及强的共价键能(5eV)等有利于提高其抗激光损伤能力.因此,碳化硅将是一种有重要应用前景的中红外非线性光学材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王顺冲		2	0	0.0	0.0