Ag对TDDI结构电容值的影响研究

• 作者: 占小奇 孙勇 李艳平 贾博超 钱志禹 陈平 陈徐通
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: TDDI Ag 电容值
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 105-107
• 页数: 3页
• 字数: 3029字
• 语种: 中文

摘要

本文主要研究了Ag(银)胶涂覆对TDDI结构的电容值的影响,Ag胶的主要作用是导通CF层与TFT层(ITO)防止静电产生,避免静电累积在Cell盒内导致画面显示异常.研究表明Ag胶易渗入到Cell盒内与BM接触,使BM与外围的GND接地,与COM形成压差,导致电容值偏大.本研究为后续优化Ag胶工艺,控制Ag胶的大小及位置提供参考方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱志禹		3	1	1.0	1.0
2	孙勇		7	2	1.0	1.0
3	贾博超		4	2	1.0	1.0
4	陈平		3	1	1.0	1.0
5	李艳平		2	1	1.0	1.0
6	占小奇		1	1	1.0	1.0
7	陈徐通		1	1	1.0	1.0