Fe催化生长β-SiC纳米分支结构

• 作者: 吴宛泽 王秋实 王维龙 谢永辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米分支结构 等离子辅助 真空电弧 β-SiC
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 786-790
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2018.09.08

摘要

采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构.用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长.β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成.β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秋实	渤海大学新能源学院	14	13	2.0	2.0
2	吴宛泽	渤海大学新能源学院	4	0	0.0	0.0
3	谢永辉	渤海大学新能源学院	5	0	0.0	0.0
4	王维龙	渤海大学新能源学院	3	0	0.0	0.0