δ掺杂对磁纳米结构中电子输运性质的影响

• 作者: 刘宏玉 卢建夺 熊祖钊 赵猛
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: δ掺杂 磁纳米结构 电子输运 自旋极化
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: O469|O472+.6
• 字数: 1982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3644.2018.01.004

摘要

建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电子的自旋输运性质.结果表明,该磁纳米结构中可实现较显著的自旋极化效应,且δ掺杂的位置及高度均会对其中的电子输运性质产生影响.因此,理论上可以通过控制δ掺杂的位置及高度来获得实际需要的自旋极化强度,有助于新型自旋电子学器件的开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宏玉	武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室	35	134	7.0	9.0
2	熊祖钊	武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室	27	158	7.0	11.0
3	卢建夺	武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室	8	5	1.0	2.0
4	赵猛	武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室	2	0	0.0	0.0