Nd掺杂对δ-MoN电子结构和输运性质的影响

• 作者: 刘利军 尉靖 张桂玲 曾涛 王可答 金凤友
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: Nd掺杂 δ-MoN 电子结构 输运性质
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 1564-1569
• 页数: 6页
• 分类号: O641
• 字数: 3910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7043.201204022

摘要

为了探讨稀土掺杂对材料导电性影响的机理,采用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,从理论角度研究了Nd掺杂δ-MoN的电子结构与输运性质,分别讨论了Nd取代Wyckoff坐标系中2a位置和6c位置的Mo原子时对δ-MoN导电性的影响.计算并分析了Nd掺杂δ-MoN的能带结构、态密度和伏安特性曲线.电子结构的计算结果表明,Nd掺杂使δ-MoN在费米能级附近的态密度增大,导致费米面电子出现的几率增加；伏安特性曲线显示Nd掺杂体系的电流大于未掺杂体系,说明Nd掺杂增强了δ-MoN的导电性,其中当Nd取代6c位置的Mo原子时δ-MoN的导电性增强较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金凤友	绥化学院食品与制药工程系	12	127	6.0	11.0
2	张桂玲	哈尔滨理工大学化学与环境工程学院	33	65	4.0	7.0
3	曾涛	哈尔滨理工大学化学与环境工程学院	17	166	5.0	12.0
4	刘利军	绥化学院食品与制药工程系	38	202	9.0	12.0
5	王可答	绥化学院食品与制药工程系	20	101	6.0	9.0
6	尉靖	哈尔滨理工大学化学与环境工程学院	2	3	1.0	1.0