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摘要:
利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电子-声子、电子-杂质和电子-缺陷等相互作用导致的弛豫时间对器件Ⅰ-Ⅴ曲线产生很大的影响,即电流滞后类平台结构的倾斜度以及电流滞后区的宽度.
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文献信息
篇名 弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 非平衡 Wigner函数 电子输运
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 604-608
页数 5页 分类号 TN30
字数 745字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.005
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电子输运
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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