GaAs材料及器件的辐照损伤研究进展

• 作者: 唐吉龙 房丹 方铉 王新伟 王晓华 王登魁 贾慧民 陈炳坤 陈雪 魏志鹏
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: GAAS 辐照损伤 电子辐照 质子辐照 离子辐照
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 141-150
• 页数: 10页
• 分类号: TN3

摘要

GaAs作为重要的III-V族半导体材料,具有直接带隙和高载流子迁移率,且具有良好的抗辐照能力,是制备空间器件的重要候选材料之一。当半导体器件在空间工作时,会受到复杂的空间粒子辐照的影响,导致器件性能下降,可靠性降低,寿命受限,因此,研究GaAs材料的辐照效应损伤具有重要意义。本文综述了不同粒子材料对GaAs材料及器件的辐照损伤效应的研究进展,阐述了不同粒子辐照源对GaAs材料结构及发光特性的影响,对GaAs材料在空间环境中的进一步应用具有实际意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	104	4.0	10.0
2	方铉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	贾慧民	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	0	0.0	0.0
6	王登魁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	18	0	0.0	0.0
7	房丹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	25	18	3.0	3.0
8	王新伟	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	67	3.0	8.0
9	陈炳坤	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
10	陈雪	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0