刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究

• 作者: 冀新友 卢凯 张家祥 张洁 王亮 王威 陈思 黄东升
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 常温污渍 钼缩进 刻蚀液
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 138-143
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183302.0138

摘要

生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良.针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应.目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出 Array Mura 的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1 μm以内.控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生.采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王威		4	36	2.0	4.0
2	王亮		3	6	2.0	2.0
3	冀新友		1	0	0.0	0.0
4	张家祥		3	4	2.0	2.0
5	张洁		1	0	0.0	0.0
6	卢凯		1	0	0.0	0.0
7	黄东升		2	0	0.0	0.0
8	陈思		2	5	1.0	2.0