Si(110)衬底上Ⅲ族氮化物薄膜的研究进展

• 作者: 吴世翀 林国涛 符跃春 翁瑶
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si(110)衬底 氮化物薄膜 外延生长 显微组织结构 发光二极管(LED)
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 789-794
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1|TN304.23
• 字数: 3512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.11.003

摘要

Si(110)衬底与Ⅲ族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注.详细分析了A1N和GaN薄膜与Si(110)衬底的取向关系,指出了薄膜与Si(110)衬底在[1(1)00]AlN//[001]si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[11(2)0]AlN//[1(1)0]si方向上的生长速度;综述了Si(110)衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si(110)衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶质量等优势.介绍了Si(110)衬底上氮化物薄膜基LED器件的结构和性能,并指出其应用优势、发展潜力和发展方向.最后,简单讨论了Si(110)衬底上A1N和GaN薄膜还存在的问题及面临的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符跃春	广西大学资源环境与材料学院广西生态铝产业协同创新中心	13	58	3.0	7.0
2	翁瑶	广西大学资源环境与材料学院广西生态铝产业协同创新中心	1	0	0.0	0.0
3	林国涛	广西大学资源环境与材料学院广西生态铝产业协同创新中心	1	0	0.0	0.0
4	吴世翀	广西大学资源环境与材料学院广西生态铝产业协同创新中心	1	0	0.0	0.0