多热源合成碳化硅温度场及压力场的三维数值模拟

• 作者: 孟祥鑫 韩俨
• 来源期刊: 工业加热
• 学科: 工学
• 关键词: 多热源 碳化硅 温度场 压力场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 模拟仿真
• 页码范围: 42-45,48
• 页数: 5页
• 分类号: TQ173
• 字数: 1852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1639.2018.03.012

摘要

采用计算流体力学软件(CFD)对合成碳化硅的多热源和单热源炉内的温度及压力的变化情况进行数值模拟,同时采用工业试验的方法对模拟结果验证.研究结果表明多热源由于将单个炉芯进行多个分散布置,使得适合碳化硅合成的温区面积明显增加,同时热源的分散也使得温度场更加均匀,未出现局部过热现象,从而减少高温带来的碳化硅过量的分解,而从两种合成炉压力分布情况来看,单热源的局部高压集中在炉底部位最大压力位154.5kPa,相比而言多热源炉内压力分布较为均匀比较适宜碳化硅的合成,其最高压力为127.3kPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩俨	西安工业大学艺术与传媒学院	4	0	0.0	0.0
2	孟祥鑫		4	0	0.0	0.0