基于低功耗增强型In0.25Ga0.75As沟道MOSFET器件

• 作者: 丁志华 李海鸥 李琦 李跃 肖功利 韦春荣 马磊
• 来源期刊: 桂林电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗器件 In组分 InGaAs MOSFET
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 1663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-808X.2018.02.001

摘要

为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析.实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道MOSFET器件的关态电流小于1×10-8 mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能.