研究并优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤对晶片残存电荷的影响

• 作者: 厉渊 徐昱 马宏潇
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 去静电 等离子体 残存电荷 良率
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.982

摘要

本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件PEGASUS对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距(Gap)与等离子体分布均一性的关系,得到了最佳极板间距范围。其次以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行了优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到了最优射频电源关闭方式。本文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。