同轴-环形TSV电学性能

• 作者: 余宁梅 王凤娟 王刚
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 工学
• 关键词: 同轴-环形硅通孔 三维集成电路 电学性能
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 242-252
• 页数: 11页
• 分类号: TN402
• 字数: 7453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7615

摘要

针对性能优越的同轴-环形硅通孔(Coaxial-Annular Through Silicon Via,CA-TSV)结构,提出特征阻抗、功率、时间常数及寄生参数的解析模型,研究结构参数对电学特性的影响,并通过HFSS软件对S21参数进行验证.结果表明:增加CA-TSV的内径或减小其外径可以有效减小特征阻抗,而减小其内径或增加其外径可以有效减小功率;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小RC等效电路的时间常数,而增大其内径或减小其外径可以有效减小RL等效电路的时间常数;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小电阻并且可以使电容值显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余宁梅	西安理工大学自动化与信息工程学院	97	476	11.0	15.0
2	王刚	西安理工大学自动化与信息工程学院	10	102	5.0	10.0
3	王凤娟	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	1	1.0	1.0