一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构

• 作者: 张昭阳 文艺 李琦 罗乐 陆诗维
• 来源期刊: 桂林电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 顶层电流路径 电荷岛 等间距 击穿电压 SOI功率器件
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 183-188
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4093字
• 语种: 中文

摘要

为了提高SOI LDMOS的击穿电压和降低导通电阻,提出了一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构.该结构由上下反向堆叠的两部分构成,上半部分提供额外的电流路径,以增大输出电流,下半部分引入等间距电荷岛,以提高击穿电压.Silvaco TCAD的二维器件结构仿真结果表明:相比于常规SOI LDMOS结构,击穿电压从210 V提高到600 V,提高幅度达到185％;与常规电荷岛SOI LDMOS结构相比,导通电阻从35.3Ω·mm2降低到26.4Ω·mm2,下降了约25％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李琦	桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室	30	53	4.0	5.0
2	文艺	桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	罗乐	桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	陆诗维	桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	张昭阳	桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室	1	0	0.0	0.0